BCR119SE6327BTSA1 Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 250mW
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package PG-SOT363-6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BCR112 YQ CIs Calientes Especializados 852424
BCR112 E6327 Infineo CIs Calientes Especializados 2589
BCR112E6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 8208
BCR112E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2752
BCR112E6327HTSA1 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR112E6377 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 368
BCR112F INF CIs Calientes Especializados 3218
BCR112F E6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 6000
BCR112F-E6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 36500
BCR112FE6327 Infineo CIs Calientes Especializados 1872

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