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BCR 569 E6327
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BCR 569 E6327 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 330mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | 150MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | PG-SOT23-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
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Hojas de datos
BCR 569 E6327.pdf
Otros incluyen "BCR 5" partes
Las siguientes partes incluyen 'BCR 5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BCR 503 B6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2564 |
BCR 503 B6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT Pre-Biasados | |
BCR 512 B6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2591 |
BCR 512 B6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT Pre-Biasados | |
BCR 512 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Especializados | 6483 |
BCR 519 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2795 |
BCR 519 E6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT Pre-Biasados | |
BCR 569 E6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT Pre-Biasados |
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