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BCR 133 B6327 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 130MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package PG-SOT23-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BCR 101L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2668
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR 101T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2762
BCR 101T E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR 103F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2788
BCR 103F E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR 103L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2699
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR 103T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2711
BCR 103T E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados

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