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BC 808-25 E6327 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type PNP
Power - Max 330mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package PG-SOT23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC 807 NXP Semiconductors / Freescale CIs Especializados 5000
BC 807-16 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2754
BC 807-16 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT individuales
BC 807-16 E6433 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2616
BC 807-16 E6433 Infineon Technologies Transistores BJT individuales
BC 807-16W E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2613
BC 807-16W E6327 Infineon Technologies Transistores BJT individuales
BC 807-16W H6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2779
BC 807-16W H6327 Infineon Technologies Transistores BJT individuales
BC 807-25 B5003 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2670

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