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AUIRF9540N Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel -100V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Other Names SP001519164
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) -100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
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Otros incluyen   "AUIRF"   partes

Las siguientes partes incluyen  'AUIRF' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AUIRF1010EZ IR CIs Calientes Especializados 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
AUIRF1010S IR CIs Calientes Especializados 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
AUIRF1010ZL IR CIs Calientes Especializados 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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