71V65703S80PFGI Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Integrated Device Technology (IDT)
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case TQFP
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Min Operating Temperature -40°C
Technology CMOS
Terminal Form GULL WING
Number of Functions 1
Frequency 95MHz
Pin Count 100
Temperature Grade INDUSTRIAL
Max Supply Voltage 3.465V
Memory Size 1.1MB
Nominal Supply Current 60mA
Access Time 8 ns
Address Bus Width 18b
Sync/Async Synchronous
Length 20mm
Thickness 1.4mm
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 100
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 100
Max Operating Temperature 85°C
Additional Feature FLOW-THROUGH
Terminal Position QUAD
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Supply Voltage 3.3V
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Operating Supply Voltage 3.3V
Interface Parallel
Min Supply Voltage 3.135V
Number of Ports 1
Memory Type RAM, SDR, SRAM
Organization 256KX36
Density 9 Mb
Word Size 36b
Width 14mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  '71V65' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
71V65603S100BG IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2500
71V65603S100BG8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2681
71V65603S100BGI IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2543
71V65603S100BGI8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2543
71V65603S100BQ IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2706
71V65603S100BQG IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2586
71V65603S100BQG8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2528
71V65603S100BQGI IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2767
71V65603S100BQGI8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2514
71V65603S100BQI IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2765

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