71256SA20PZGI Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Integrated Device Technology (IDT)
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case TSSOP
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 85°C
Subcategory SRAMs
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Supply Voltage 5V
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Operating Supply Voltage 5V
Temperature Grade INDUSTRIAL
Max Supply Voltage 5.5V
Memory Size 32kB
Nominal Supply Current 145mA
Access Time 20 ns
Output Characteristics 3-STATE
Density 256 kb
Sync/Async Asynchronous
Length 8mm
Thickness 1mm
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 28
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 28
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Min Operating Temperature -40°C
Technology CMOS
Terminal Form GULL WING
Number of Functions 1
Terminal Pitch 0.55mm
Pin Count 28
Power Supplies 5V
Interface Parallel
Min Supply Voltage 4.5V
Number of Ports 1
Memory Type RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
Organization 32KX8
Address Bus Width 15b
I/O Type COMMON
Word Size 8b
Width 11.8mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
71256L100DB IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2607
71256L100TDB IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2702
71256L20YG IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2710
71256L20YG8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2683
71256L20YGI IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2610
71256L20YGI8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2581
71256L25DB IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2676
71256L25TDB IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2516
71256L25YG IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2784
71256L25YG8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2551

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