6116LA20SOG8 Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Integrated Device Technology (IDT)
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SOIC
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 70°C
Subcategory SRAMs
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Supply Voltage 5V
Pin Count 24
Power Supplies 5V
Interface Parallel
Min Supply Voltage 4.5V
Number of Ports 1
Memory Type RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
Organization 2KX8
Address Bus Width 11b
Standby Current-Max 0.00003A
Sync/Async Asynchronous
Standby Voltage-Min 2V
Width 7.6mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 24
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 24
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Min Operating Temperature 0°C
Technology CMOS
Terminal Form GULL WING
Number of Functions 1
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Operating Supply Voltage 5V
Temperature Grade COMMERCIAL
Max Supply Voltage 5.5V
Memory Size 2kB
Nominal Supply Current 95mA
Access Time 20 ns
Output Characteristics 3-STATE
Density 16 kb
I/O Type COMMON
Word Size 8b
Length 15.4mm
Thickness 2.34mm
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
6116LA120DB IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2625
6116LA120TDB IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2799
6116LA150DB IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2765
6116LA150TDB IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2715
6116LA15SOGI8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2636
6116LA20SOG IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2562
6116LA20SOG8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2717
6116LA20SOGI IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2563
6116LA20SOGI8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2694
6116LA20TDB IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2718

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