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BSM50GP120 Especificaciones técnicas

IGBT Modules 1200V 50A PIM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Published 2003
Number of Terminations 35
Max Operating Temperature 125°C
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form UNSPECIFIED
Reach Compliance Code unknown
Pin Count 35
Number of Elements 7
Power Dissipation-Max 360W
Case Connection ISOLATED
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.6kV
Turn On Time 105 ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 17mm
Width 62mm
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Number of Pins 3
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -40°C
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration COMPLEX
Power Dissipation 360W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Saturation Voltage 2.5V
Turn Off Time-Nom (toff) 430 ns
VCEsat-Max 2.55 V
Length 122mm
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSM500GA120DN2 EUPEC Módulos IGBT 2799
BSM500GA124D EUPEC Módulos IGBT 2645
BSM50GAL100D SIEMENS Módulos IGBT 2848
BSM50GAL120D IGBT Módulos IGBT 2766
BSM50GAL120DN2 IGBT Module Módulos IGBT 2887
BSM50GAL120DN2HOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2544
BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
BSM50GAL124D EUPEC CIs Calientes Especializados 2836
BSM50GAL60DLC EUPEC Módulos IGBT 2510
BSM50GAR120DN2 EUPEC Módulos IGBT 2821

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