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BSM100GB60DLC Especificaciones técnicas

IGBT Modules 600V 100A DUAL

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Screw
Number of Pins 34
Number of Terminations 7
Max Operating Temperature 125°C
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Power Dissipation-Max 445W
Power Dissipation 445W
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 37 ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 30.5mm
Width 34mm
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Pbfree Code yes
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -40°C
Terminal Position UPPER
Pin Count 7
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 130A
Collector Emitter Saturation Voltage 1.95V
Turn Off Time-Nom (toff) 180 ns
VCEsat-Max 2.45 V
Length 94mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "BSM10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BSM10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSM100D12PIC003 ROHM Módulos IGBT 2618
BSM100GA120DN11 EUPEC Módulos IGBT 2702
BSM100GA120DN2 EUPEC Módulos IGBT 2676
BSM100GAL100D EUPEC Módulos IGBT 2785
BSM100GAL120D EUPEC Módulos IGBT 2817
BSM100GAL120DLC EUPEC Módulos IGBT 2563
BSM100GAL120DLCK Infineon Módulos IGBT 2730
BSM100GAL120DLCKHOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 0
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
BSM100GAL120DN2 EUPEC Módulos IGBT 2800

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