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SPB80P06PGATMA1 Especificaciones técnicas

SPB80P06PGATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1999
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -60V
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating -80A
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 340W Tc
Power Dissipation 340W
Turn On Delay Time 24 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 64A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 18ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) -80A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -60V
Height 4.4mm
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SIPMOS®
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5.5mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5033pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 173nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 56 ns
Threshold Voltage -3V
Max Dual Supply Voltage -60V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "SPB80"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SPB80' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPB800-BCP1 H&D Wireless Módulos Transceptores RF 2668
SPB800-BCP1 H&D Wireless AB Módulos Transceptores RF
SPB80N03 VB CIs Calientes Especializados 5000
SPB80N03L INFINEO CIs Calientes Especializados 12100
SPB80N03L E3045A infineo CIs Calientes Especializados 4354
SPB80N03S2-03 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2803
SPB80N03S2-03 G INF CIs Calientes Especializados 2693
SPB80N03S2-03 MCU International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 654
SPB80N03S2-03 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1360
SPB80N03S2-03G INF CIs Calientes Especializados 691

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