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SIGC25T60SNCX1SA2 Especificaciones técnicas

Trans IGBT Chip N-CH 600V Die

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Published 2005
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUUC-N3
Number of Elements 1
Input Type Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Test Condition 400V, 30A, 11 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 391 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Dual Supply Voltage 600V
Turn On Time 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
IGBT Type NPT
Td (on/off) @ 25°C 44ns/324ns
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIGC25T60NCX1SA2 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC25T60NCX1SA4 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC25T60NCX1SA5 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC25T60NCX1SA6 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC25T60NCX1SA7 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC25T60NCX7SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC25T60NCX7SA2 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC25T60SNCX1SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
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