SIGC11T60SNCX1SA1 Especificaciones técnicas

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-XUUC-N2
Number of Elements 1
Input Type Standard
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Dual Supply Voltage 600V
Turn On Time 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 10A
IGBT Type NPT
Td (on/off) @ 25°C 28ns/198ns
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 2
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 2
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Test Condition 400V, 10A, 25 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 224 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIGC100T60R3EX1SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC100T60R3EX1SA4 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC100T60R3EX7SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC100T65R3EX1SA2 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC109T120R3LEX1SA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2558
SIGC109T120R3LEX1SA2 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC10T60EX1SA3 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC10T60EX1SA5 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC10T60EX7SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC10T60EX7SA3 Infineon Technologies IGBTs individuales

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