SIGC04T60EX1SA2 Especificaciones técnicas

IGBT CHIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Series TrenchStop™
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
IGBT Type Trench Field Stop
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Published 2010
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Dual Supply Voltage 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 6A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIGC03T60EX1SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC03T60EX7SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC05T60SNCX1SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC05T60SNCX1SA3 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC05T60SNCX1SA4 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC05T60SNCX7SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC05T60SNCX7SA2 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC06T60EX1SA2 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC06T60EX7SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC07T60NCX1SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales

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