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SGD06N60BUMA1 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 12A 68W TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code compliant
Base Part Number *GD06N60
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 68W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 6A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
Switching Energy 215μJ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
JEDEC-95 Code TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Test Condition 400V, 6A, 50 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 318 ns
Gate Charge 32nC
Td (on/off) @ 25°C 25ns/220ns
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SGD06N60 INFINEO CIs Calientes Especializados 7762
SGD06N60BUMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2505

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