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SGB30N60ATMA1 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 41A 250W TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 112A
Switching Energy 1.29mJ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Base Part Number GB30N60
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 250W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 41A
Test Condition 400V, 30A, 11 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 391 ns
Gate Charge 140nC
Td (on/off) @ 25°C 44ns/291ns
RoHS Status RoHS Compliant
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Otros incluyen   "SGB30"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SGB30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SGB30N60 IGBT Module Módulos IGBT 2715
SGB30N60 G30N60 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 686
SGB30N60ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2731

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