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IRLZ34NSTRLPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1998 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 35mOhm |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 68W |
Turn On Delay Time | 8.9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A Tc |
Rise Time | 100ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 21 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
Nominal Vgs | 2 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Voltage - Rated DC | 55V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 30A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 68W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35m Ω @ 16A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4V 10V |
Fall Time (Typ) | 29 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 30A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Dual Supply Voltage | 55V |
Height | 4.826mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead |
IRLZ34NSTRLPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRLZ34NSTRLPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRLZ3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRLZ3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRLZ34 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3345 |
IRLZ34 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 26025 |
IRLZ34L | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3477 |
IRLZ34L | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3471 |
IRLZ34N | IR | CIs Calientes Especializados | 155425 |
IRLZ34NL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 14101 |
IRLZ34NLPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23170 |
IRLZ34NLPBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 2841 |
IRLZ34NPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 20414 |
IRLZ34NPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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