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IRLR8729TRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 58A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0089Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 260A
Height 2.3876mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 55W Tc
Power Dissipation 55W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A Tc
Rise Time 47ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 11 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 50A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 74 mJ
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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IRLR8729TRPBF Documentos

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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IRLR8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLR8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLR8103 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3304
IRLR8103TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2632
IRLR8103TRL Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2702
IRLR8103TRL Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
IRLR8103TRPBF IR CIs Calientes Especializados 5570
IRLR8103TRR Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRLR8103TRR Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRLR8103V IR CIs Calientes Especializados 1088
IRLR8103V IC IR CIs Calientes Especializados 485
IRLR8103V MOS JRC CIs Calientes Especializados 4127

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