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IRLR3715ZPBF Especificaciones técnicas
IRLR3715ZPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 11MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 40W |
Turn On Delay Time | 7.8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A Tc |
Rise Time | 13ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 10 ns |
Threshold Voltage | 2.1V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200A |
Height | 2.26mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Voltage - Rated DC | 20V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 49A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 40W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11m Ω @ 15A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 4.3 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 49A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
Recovery Time | 17 ns |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRLR3715ZPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRLR3715ZPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRLR3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRLR3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRLR3103 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12258 |
IRLR3103 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 798 |
IRLR3103PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32815 |
IRLR3103PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRLR3103TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 425 |
IRLR3103TRL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2599 |
IRLR3103TRLPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 15377 |
IRLR3103TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 114293 |
IRLR3103TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRLR3103TRPBF MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 522 |
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