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IRLR3114ZTRPBF Especificaciones técnicas

IRLR3114ZTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 140W
Turn On Delay Time 25 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 140ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 33 ns
Threshold Voltage 1V
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 260 mJ
Height 2.3876mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 4.9MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 140W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9m Ω @ 42A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 50 ns
Continuous Drain Current (ID) 130mA
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 42A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 500A
Nominal Vgs 1 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "IRLR3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLR3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLR3103 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12258
IRLR3103 MOS IR CIs Calientes Especializados 798
IRLR3103PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32815
IRLR3103PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLR3103TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 425
IRLR3103TRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2599
IRLR3103TRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15377
IRLR3103TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 114293
IRLR3103TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLR3103TRPBF MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 522

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