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IRLR3110ZTRRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW ON RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 140W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14m Ω @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 48 ns
Continuous Drain Current (ID) 42A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 250A
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 140W
Turn On Delay Time 24 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 110ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 33 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 2.26mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'IRLR3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLR3103 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12258
IRLR3103 MOS IR CIs Calientes Especializados 798
IRLR3103PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32815
IRLR3103PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLR3103TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 425
IRLR3103TRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2599
IRLR3103TRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15377
IRLR3103TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 114293
IRLR3103TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLR3103TRPBF MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 522

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