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IRLR2703PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 45mOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 23A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 45W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45m Ω @ 14A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4V 10V |
Fall Time (Typ) | 20 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 23A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Dual Supply Voltage | 30V |
Recovery Time | 97 ns |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2003 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 38W |
Turn On Delay Time | 8.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A Tc |
Rise Time | 140ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Threshold Voltage | 1V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 96A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 77 mJ |
Nominal Vgs | 1 V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRLR2703PBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRLR2703PBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRLR2" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRLR2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRLR210ATF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10494 |
IRLR210ATF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5418 |
IRLR210ATM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
IRLR210ATM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2744 |
IRLR220A | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 1323 |
IRLR220ATF | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
IRLR220ATM | F | CIs Calientes Especializados | 5095 |
IRLR220ATM MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5358 |
IRLR230ATF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2622 |
IRLR230ATF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2791 |
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