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IRLR024NTRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 17A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 45W
Turn On Delay Time 7.1 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Tc
Rise Time 74ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 72A
Avalanche Energy Rating (Eas) 68 mJ
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 2.52mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 80mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 45W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Fall Time (Typ) 29 ns
Continuous Drain Current (ID) 17A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Dual Supply Voltage 55V
Recovery Time 90 ns
Nominal Vgs 2 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'IRLR0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLR014 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5413
IRLR014 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 119083
IRLR014N IR/VISHAY CIs Calientes Especializados 28882
IRLR014N IRLR014 IR CIs Calientes Especializados 6400
IRLR014NPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18838
IRLR014NTR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2114
IRLR014NTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2634
IRLR014NTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2254
IRLR014NTRR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2727
IRLR014PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 35365

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