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IRLML6402TRPBF Especificaciones técnicas

IRLML6402TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 65mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating -3.7A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.3W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 350 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A Ta
Rise Time 48ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 381 ns
Continuous Drain Current (ID) -3.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 22A
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.12mm
Width 1.397mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Manufacturer Package Identifier Micro3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.3W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65m Ω @ 3.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 588 ns
Threshold Voltage -550mV
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Dual Supply Voltage -20V
Nominal Vgs -550 mV
Length 3.0226mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRLML6402TRPBF Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRLML6402TRPBF

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IRLML"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLML' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLML 6401 IR CIs Calientes Especializados 5327
IRLML0010TRPBF INF CIs Calientes Especializados 18861
IRLML0030GTRPBF IR CIs Calientes Especializados 31485
IRLML0030PBF IR CIs Calientes Especializados 3410
IRLML0030PBF-1 IR CIs Calientes Especializados 38328
IRLML0030TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5477
IRLML0030TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRLML0030TRPBF MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 42300
IRLML0030TRPBF-1 IR CIs Calientes Especializados 6039
IRLML0030TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 52476

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