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IRL6372PBF Especificaciones técnicas
IRL6372PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 8 |
Resistance | 17.9MOhm |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY |
Max Power Dissipation | 2W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | IRL6372PBF |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 5.9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Turn-Off Delay Time | 34 ns |
Threshold Voltage | 1.1V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
FET Feature | Logic Level Gate |
Height | 1.5mm |
Width | 4mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 2W |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9m Ω @ 8.1A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
Rise Time | 13ns |
Fall Time (Typ) | 15 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 8.1A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 65A |
Recovery Time | 20 ns |
Nominal Vgs | 1.1 V |
Length | 5mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRL6372PBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRL6372PBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRL63" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRL63'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRL630 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9803 |
IRL630 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 864 |
IRL630 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 494 |
IRL630A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1321 |
IRL630A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3020 |
IRL630APBF | VB | CIs Calientes Especializados | 10357 |
IRL630NS | IR | CIs Calientes Especializados | 2855 |
IRL630PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2518 |
IRL630PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22268 |
IRL630S | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12183 |
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