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IRL1004SPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.1W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A Tc |
Rise Time | 210ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 25 ns |
Threshold Voltage | 1V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 40V |
Dual Supply Voltage | 40V |
Recovery Time | 120 ns |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 6.5MOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Voltage - Rated DC | 40V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 130A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 200W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5m Ω @ 78A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5330pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 14 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 130A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 520A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 700 mJ |
Nominal Vgs | 1 V |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRL1004SPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRL1004SPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRL10" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRL10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRL1004 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 40370 |
IRL1004L | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2773 |
IRL1004LPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2946 |
IRL1004PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2271 |
IRL1004PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRL1004PBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 2069 |
IRL1004PBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 43 |
IRL1004S | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 24629 |
IRL1004S MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 6321 |
IRL1004S/L1004S | IR | CIs Calientes Especializados | 448 |
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