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IRGIB4640DPBF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 65A 250W TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 250W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 250W
Max Collector Current 65A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 24A
Gate Charge 75nC
Td (on/off) @ 25°C 41ns/104ns
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2015
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.9V
Reverse Recovery Time 89 ns
Test Condition 400V, 24A, 10 Ω, 15V
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 72A
Switching Energy 115μJ (on), 600μJ (off)
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IRGIB10B60KD IR CIs Calientes Especializados 2677
IRGIB10B60KD1 IR CIs Calientes Especializados 1012
IRGIB10B60KD1 GIB10B60KD1 IR CIs Calientes Especializados 1225
IRGIB10B60KD1P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 46170
IRGIB10B60KD1P Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGIB10B60KD1P. IR CIs Calientes Especializados 250
IRGIB10B60KD1PBF IR CIs Calientes Especializados 2635
IRGIB10B60KD1PBF. IR CIs Calientes Especializados 2566
IRGIB15B60KD1 IR CIs Calientes Especializados 32612
IRGIB15B60KD1P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 4645

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