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IRGC75B60KB Especificaciones técnicas

IGBT CHIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application MOTOR CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.5V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-XUUC-N2
Number of Elements 1
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
IGBT Type NPT
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRGC75B120UB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGC75B60UB Infineon Technologies IGBTs individuales

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