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IRGC25B120UB Especificaciones técnicas
IGBT CHIP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Terminal Form | NO LEAD |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | Die |
Transistor Element Material | SILICON |
Part Status | Last Time Buy |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Terminal Position | UPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | O-XUUC-N |
Number of Elements | 1 |
Input Type | Standard |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector (Ic) (Max) | 25A |
IGBT Type | NPT |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRGC20B60KB | Infineon Technologies | IGBTs individuales |
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