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IRGC100B120KB Especificaciones técnicas

IGBT CHIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application MOTOR CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code O-XUUC-N
Number of Elements 1
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
IGBT Type NPT
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRGC100B120UB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGC100B60KB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGC100B60KC Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGC100B60UB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGC10B60KB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGC14C40LD Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGC15B60KB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGC15B60KD Infineon Technologies IGBTs individuales

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