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IRGB8B60KPBF Especificaciones técnicas

IRGB8B60KPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2003
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 167W
Number of Elements 1
Power Dissipation 167W
Input Type Standard
Rise Time 21ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 2.2V
Test Condition 400V, 5A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 220 ns
Gate Charge 18.2nC
Td (on/off) @ 25°C 23ns/140ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 56ns
Length 10.54mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 28A
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application MOTOR CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 28A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 26A
Switching Energy 160μJ (on), 160μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.5V
Height 8.77mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRGB8B60KPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2569

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