IRGB6B60KPBF Especificaciones técnicas

IRGB6B60KPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Max Power Dissipation 90W
Number of Elements 1
Power Dissipation 90W
Input Type Standard
Rise Time 17ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Test Condition 400V, 5A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 258 ns
Gate Charge 18.2nC
Td (on/off) @ 25°C 25ns/215ns
Height 8.77mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 13A
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application MOTOR CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 13A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 26A
Switching Energy 110μJ (on), 135μJ (off)
Length 10.54mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRGB6B60K IR CIs Calientes Especializados 6283
IRGB6B60KD IR CIs Calientes Especializados 6880
IRGB6B60KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 14550
IRGB6B60KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGB6B60KPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 859

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