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IRG7CH50K10EF
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IRG7CH50K10EF Especificaciones técnicas
IGBT CHIP WAFER
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | Die |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Bulk |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Position | UPPER |
JESD-30 Code | S-XUUC-N2 |
Configuration | SINGLE |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Turn On Time | 120 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Td (on/off) @ 25°C | 50ns/280ns |
VCEsat-Max | 2.2 V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | NO LEAD |
Number of Elements | 1 |
Input Type | Standard |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Test Condition | 600V, 35A, 10 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 635 ns |
Gate Charge | 170nC |
Gate-Emitter Voltage-Max | 30V |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 7.5V |
IRG7CH50K10EF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRG7CH50K10EF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRG7C" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRG7C'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRG7CH11K10EF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2755 |
IRG7CH11K10EF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG7CH20K10EF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2626 |
IRG7CH20K10EF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG7CH23K10EF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2629 |
IRG7CH23K10EF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG7CH28UED | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2631 |
IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG7CH28UEF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2690 |
IRG7CH28UEF | Infineon Technologies | IGBTs individuales |
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