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IRG6S320UPBF Especificaciones técnicas

IGBT 330V 50A 114W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 114W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.65V
Collector Emitter Breakdown Voltage 330V
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Test Condition 196V, 12A, 10Ohm
IGBT Type Trench
Td (on/off) @ 25°C 24ns/89ns
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -40°C
Base Part Number IRG6S320UPBF
Power Dissipation 114W
Power - Max 114W
Max Collector Current 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 24A
Gate Charge 46nC
Radiation Hardening No
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRG6S320UPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 11490
IRG6S320UTRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 71960
IRG6S320UTRLPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG6S320UTRRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2524
IRG6S320UTRRPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG6S330U IR CIs Calientes Especializados 2626
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IRG6S330UPBF Infineon Technologies IGBTs individuales

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