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IRG5U150HF12B Especificaciones técnicas

IGBT MOD 1200V 260A POWIR 62

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Chassis Mount
Package / Case POWIR® 62 Module
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Configuration Half Bridge
Input Standard
Max Collector Current 260A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Input Capacitance 18nF
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 1.1kW
Power - Max 1100W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3.5V
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 150A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
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IRG5U100HF06A International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2649
IRG5U100HF06A Infineon Technologies Módulos IGBT
IRG5U100HF12A International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2794
IRG5U100HF12A Infineon Technologies Módulos IGBT
IRG5U100HF12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2505
IRG5U100HF12B Infineon Technologies Módulos IGBT
IRG5U100HH06E International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2650
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