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IRG4RC10UDPBF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 38W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 40 ns
Rise Time 16ns
Turn-Off Delay Time 87 ns
Max Collector Current 8.5A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Collector Emitter Saturation Voltage 2.6V
Turn On Time 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A
Gate Charge 15nC
Td (on/off) @ 25°C 40ns/87ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 1.2446mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 350.003213mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1999
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 8.5A
Base Part Number IRG4RC10UDPBF
Number of Elements 1
Power Dissipation 38W
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.6V
Reverse Recovery Time 28 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Max Breakdown Voltage 600V
Test Condition 480V, 5A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 345 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 34A
Switching Energy 140μJ (on), 120μJ (off)
Fall Time-Max (tf) 210ns
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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IRG4RC10K International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 6845
IRG4RC10K Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4RC10KD International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 3302
IRG4RC10KD Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4RC10KD MOS IR CIs Calientes Especializados 510
IRG4RC10KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2795
IRG4RC10KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4RC10KDTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2723
IRG4RC10KDTRPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4RC10KDTRPBF Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales

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