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IRG4PH30KDPBF
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IRG4PH30KDPBF Especificaciones técnicas
IRG4PH30KDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Voltage - Rated DC | 1.2kV |
Current Rating | 20A |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Turn On Delay Time | 39 ns |
Rise Time | 79ns |
Turn-Off Delay Time | 220 ns |
Max Collector Current | 20A |
JEDEC-95 Code | TO-247AC |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Turn On Time | 121 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.2V @ 15V, 10A |
Gate Charge | 53nC |
Td (on/off) @ 25°C | 39ns/220ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 140ns |
Length | 15.87mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Part Status | Last Time Buy |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Max Power Dissipation | 100W |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 100W |
Input Type | Standard |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 4.2V |
Reverse Recovery Time | 50 ns |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 3.1V |
Test Condition | 800V, 10A, 23 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 637 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
Switching Energy | 950μJ (on), 1.15mJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6V |
Height | 20.7mm |
Width | 5.3086mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRG4PH30KDPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRG4PH30KDPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRG4P" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRG4P'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRG4P254S | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 14214 |
IRG4P254S | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4P254SPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 1417 |
IRG4P254SPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4PC20FD | IR | CIs Calientes Especializados | 7600 |
IRG4PC20U | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 1707 |
IRG4PC20U | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4PC20UPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2568 |
IRG4PC20UPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4PC30F | IR | CIs Calientes Especializados | 14312 |
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