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IRG4CC40FB Especificaciones técnicas

IGBT CHIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Part Status Last Time Buy
ECCN Code EAR99
Additional Feature FAST SPEED
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code O-XUUC-N
Number of Elements 1
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 10A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRG4CC30FB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4CC30UB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4CC40KB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4CC40UB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4CC50UB International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2553
IRG4CC50UB Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4CC50WB Infineon Technologies IGBTs individuales
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