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IRG4BH20K-LPBF Especificaciones técnicas

IRG4BH20K-LPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 1.2kV
Terminal Position SINGLE
Current Rating 11A
Number of Elements 1
Power Dissipation 60W
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4.3V
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 3.17V
Test Condition 960V, 5A, 50 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 720 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 22A
Switching Energy 450μJ (on), 440μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Height 9.65mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Weight 2.084002g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 60W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Element Configuration Dual
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 23 ns
Rise Time 26ns
Turn-Off Delay Time 93 ns
Max Collector Current 11A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A
Gate Charge 28nC
Td (on/off) @ 25°C 23ns/93ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 400ns
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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IRG4BH20K-LPBF Documentos

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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IRG4B"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRG4B' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRG4B50W IR CIs Calientes Especializados 1084
IRG4BAC50W-S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 658
IRG4BAC50W-S Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4BAC50W-SPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2786
IRG4BAC50W-SPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4BC10K International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 780
IRG4BC10K Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4BC10KD IR CIs Calientes Especializados 92380
IRG4BC10KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2698
IRG4BC10KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales

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