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IRG4BC30KDSTRLP Especificaciones técnicas

IGBT 600V 28A 100W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application MOTOR CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.7V
Reverse Recovery Time 42 ns
Max Breakdown Voltage 600V
Test Condition 480V, 16A, 23 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 370 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A
Switching Energy 600μJ (on), 580μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 260.39037mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 2
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Max Power Dissipation 100W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number IRG4BC30KD-SPBF
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 100W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 28A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A
Gate Charge 67nC
Td (on/off) @ 25°C 60ns/160ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 120ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "IRG4B"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRG4B' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRG4B50W IR CIs Calientes Especializados 1084
IRG4BAC50W-S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 658
IRG4BAC50W-S Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4BAC50W-SPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2786
IRG4BAC50W-SPBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4BC10K International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 780
IRG4BC10K Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG4BC10KD IR CIs Calientes Especializados 92380
IRG4BC10KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2698
IRG4BC10KDPBF Infineon Technologies IGBTs individuales

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