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IRG4BC20SD-S Especificaciones técnicas
IRG4BC20SD-S datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1997 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Reverse Recovery Time | 37ns |
Current - Collector (Ic) (Max) | 19A |
Test Condition | 480V, 10A, 50 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 1780 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 38A |
Switching Energy | 320μJ (on), 2.58mJ (off) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 225 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 60W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Turn On Time | 99 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 10A |
Gate Charge | 27nC |
Td (on/off) @ 25°C | 62ns/690ns |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
IRG4BC20SD-S Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRG4BC20SD-S
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRG4B" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRG4B'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRG4B50W | IR | CIs Calientes Especializados | 1084 |
IRG4BAC50W-S | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 658 |
IRG4BAC50W-S | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4BAC50W-SPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2786 |
IRG4BAC50W-SPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4BC10K | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 780 |
IRG4BC10K | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4BC10KD | IR | CIs Calientes Especializados | 92380 |
IRG4BC10KDPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2698 |
IRG4BC10KDPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales |
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