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IRG4BC15UD-LPBF
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IRG4BC15UD-LPBF Especificaciones técnicas
IRG4BC15UD-LPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Max Power Dissipation | 49W |
Current Rating | 14A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 49W |
Turn On Delay Time | 17 ns |
Rise Time | 20ns |
Turn-Off Delay Time | 160 ns |
Max Collector Current | 14A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 37 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 7.8A |
Gate Charge | 23nC |
Td (on/off) @ 25°C | 17ns/160ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Height | 9.652mm |
Width | 4.826mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Weight | 2.084002g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
Part Status | Last Time Buy |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Voltage - Rated DC | 600V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.4V |
Reverse Recovery Time | 28 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.02V |
Test Condition | 480V, 7.8A, 75 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 400 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 42A |
Switching Energy | 240μJ (on), 260μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRG4BC15UD-LPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRG4BC15UD-LPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRG4B" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRG4B'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRG4B50W | IR | CIs Calientes Especializados | 1084 |
IRG4BAC50W-S | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 658 |
IRG4BAC50W-S | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4BAC50W-SPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2786 |
IRG4BAC50W-SPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4BC10K | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 780 |
IRG4BC10K | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG4BC10KD | IR | CIs Calientes Especializados | 92380 |
IRG4BC10KDPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2698 |
IRG4BC10KDPBF | Infineon Technologies | IGBTs individuales |
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