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IRFZ46NPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 53A |
Qualification Status | Not Qualified |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 107W Tc |
Current | 40A |
Power Dissipation | 88W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A Tc |
Rise Time | 76ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 52 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 55V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.54mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2002 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | 55V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 250 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Lead Pitch | 2.54mm |
Voltage | 55V |
Element Configuration | Single |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5m Ω @ 28A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1696pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 57 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 53A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
Recovery Time | 101 ns |
Height | 8.77mm |
Width | 4.69mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFZ46NPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFZ46NPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFZ4" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFZ4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFZ40 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 60596 |
IRFZ40 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2348 |
IRFZ40PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3027 |
IRFZ40PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10276 |
IRFZ40PBF | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRFZ42 | ST | CIs Calientes Especializados | 2584 |
IRFZ42N | IR | CIs Calientes Especializados | 2637 |
IRFZ44 | SEC | CIs Calientes Especializados | 5441 |
IRFZ44 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 746 |
IRFZ44/IRFZ44N | IR | CIs Calientes Especializados | 85308 |
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