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IRFU9024NPBF Especificaciones técnicas

IRFU9024NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 175mOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC -60V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 38W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175m Ω @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 23 ns
Threshold Voltage -4V
Drain to Source Breakdown Voltage -55V
Dual Supply Voltage -55V
Recovery Time 71 ns
Height 6.22mm
Width 2.3876mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating -1.6A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 38W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Tc
Rise Time 55ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 37 ns
Continuous Drain Current (ID) -11A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 44A
Avalanche Energy Rating (Eas) 62 mJ
Nominal Vgs -4 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFU9024NPBF Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFU9024NPBF

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IRFU9"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFU9' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFU9010 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2698
IRFU9010 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1340
IRFU9010PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10290
IRFU9010PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10290
IRFU9010PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFU9012 V CIs Calientes Especializados 2762
IRFU9012PBF I CIs Calientes Especializados 10075
IRFU9014 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 268
IRFU9014 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 57609
IRFU9014N International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2552

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