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IRFU3607PBF Especificaciones técnicas
IRFU3607PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Power Dissipation-Max | 140W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9m Ω @ 46A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3070pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 96 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 56A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.009Ohm |
Dual Supply Voltage | 75V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 140W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A Tc |
Rise Time | 110ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 43 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 80A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Recovery Time | 50 ns |
Height | 6.22mm |
Width | 2.3876mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRFU3607PBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFU3607PBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFU3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFU3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFU310 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3718 |
IRFU310 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3718 |
IRFU310A | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 2799 |
IRFU310A IRFU310 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 5999 |
IRFU310A IRFU310 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1698 |
IRFU310BTU | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 2793 |
IRFU310PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1286 |
IRFU310PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33928 |
IRFU310PBF | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRFU310PBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 992 |
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