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IRFU1205PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27m Ω @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 44A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 160A
Height 6.22mm
Width 2.3876mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 27mOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Position SINGLE
Current Rating 44A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 107W Tc
Power Dissipation 69W
Turn On Delay Time 7.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A Tc
Rise Time 69ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 210 mJ
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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IRFU1205PBF Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFU1205PBF

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IRFU1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFU1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFU1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 563
IRFU1010ZPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 670
IRFU1018E IR CIs Calientes Especializados 2566
IRFU1018EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10315
IRFU1018EPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFU110 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2797
IRFU110 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2339
IRFU110 IRLU110 IR CIs Calientes Especializados 1
IRFU110A IR CIs Calientes Especializados 49
IRFU110PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 39953

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