IRFSL7440PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 40V 120A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 2.5MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 208W Tc
Power Dissipation 208W
Turn On Delay Time 24 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 68ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 115 ns
Threshold Voltage 3V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 208A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 772A
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 68 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Nominal Vgs 3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRFSL11N50A Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3362
IRFSL11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11673
IRFSL11N50APBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2564
IRFSL11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2743
IRFSL17N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 495
IRFSL17N20DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2691
IRFSL23N15D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1254
IRFSL23N15DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
IRFSL23N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2745
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