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IRFSL4227PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 62A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Power Dissipation-Max 330W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 46A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 31 ns
Continuous Drain Current (ID) 62A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Avalanche Energy Rating (Eas) 140 mJ
Height 9.65mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 330W
Turn On Delay Time 33 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A Tc
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 21 ns
Threshold Voltage 5V
Drain-source On Resistance-Max 0.026Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 260A
Nominal Vgs 5 V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFSL11N50A Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3362
IRFSL11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11673
IRFSL11N50APBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2564
IRFSL11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2743
IRFSL17N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 495
IRFSL17N20DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2691
IRFSL23N15D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1254
IRFSL23N15DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
IRFSL23N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2745
IRFSL23N20D102P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3483

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