IRFS4127TRLPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 72A Tc
Rise Time 18ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 250 mJ
Length 10.668mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 22MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 44A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5380pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 72A
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Height 4.826mm
Width 9.652mm
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IRFS4010-7P IR CIs Calientes Especializados 925
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IRFS4010-7PPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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IRFS4010PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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