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IRFS3307TRLPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 15 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 200W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3m Ω @ 75A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5150pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 63 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 120A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 75A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 270 mJ |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 6.3MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 200W |
Turn On Delay Time | 26 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Rise Time | 120ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 51 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Height | 4.572mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFS3307TRLPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFS3307TRLPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRFS3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFS3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFS3004 | IR | CIs Calientes Especializados | 32708 |
IRFS3004-7P | IR | CIs Calientes Especializados | 2745 |
IRFS3004-7P/IRFS3004-7PPBF | IR | CIs Calientes Especializados | 439 |
IRFS3004-7PPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3897 |
IRFS3004-7PPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFS3004-7PPBF IC | IR | CIs Calientes Especializados | 626 |
IRFS3004-7PPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 109 |
IRFS3004PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4434 |
IRFS3004PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFS3004TRL7PP | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1988 |
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